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公开/公告号CN103155244B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 吉坤日矿日石能源株式会社;户田工业株式会社;
申请/专利号CN201180048751.5
发明设计人 铃木贵志;石丸纪代;大山隆;田野保;小田敏幸;藤永逸平;浦井智明;冈崎精二;蔵田克彰;平本敏章;佐藤亚季乃;小田亘;
申请日2011-10-06
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:39:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-18
授权
2013-08-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/587 申请日:20111006
实质审查的生效
2013-06-12
公开
机译: 具有晶格应变的锂离子二次电池负极用石墨材料及锂离子二次电池
机译: 带有晶格应变的石墨材料,用于锂离子二次电池负极和锂离子二次电池
机译: 用于锂离子二次电池负极的具有晶格畸变的石墨材料和锂离子二次电池
机译:汽车锂离子二次电池负极材料的现状与未来发展
机译:锂离子二次电池富孔Li4Ti5O12负极材料的合成及电化学性能
机译:锂离子二次电池微机电系统制造的锯齿形或金字塔形硅负极
机译:使用自支撑多孔电极进行锂离子二次电池负极的原位分析
机译:使用X射线衍射和会聚光束电子衍射测量应变硅的晶格应变和弛豫效应
机译:通过应变工程在具有大晶格失配的核/壳纳米线中实现可广泛调谐的GaAs带隙
机译:ex-situ i>电子显微镜研究通过锂离子二次电池中硅负极的电荷 - 放电反应形成的固体电解质间相互作用
机译:Ga(as,p)应变层超晶格:具有可独立调节的带Gap和晶格常数的三元半导体