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与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入发光器件

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摘要

本实用新型涉及硅基发光电子器件技术领域，为提供一种基于标准CMOS工艺的硅基发光器件，它既可以反向偏置发光，又可以正向偏置注入发光，而且正向注入发光功率密度大、效率高。为此，本实用新型采取的技术方案是，与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入发光器件，结构为：轻掺杂的p型硅片衬底上设置有一对p

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20141015 终止日期:20150612 申请日:20140612

专利权的终止
2014-10-15

授权

授权

1. 与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入方法及发光器件 [P] . 中国专利： CN103996760B . 2018.06.15
2. 与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入发光器件 [P] . 中国专利： CN203883033U . 2014.10.15
3. STANDARD-COMPLIANT LABEL, METHOD OF PROVIDING A STANDARD-COMPLIANT LABEL, AND STANDARD -COMPLIANT LABEL PRINTER [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012048324A3 . 2012-06-21

机译：标准兼容标签，提供标准兼容标签的方法以及标准兼容标签打印机
4. STANDARD-COMPLIANT LABEL, METHOD OF PROVIDING A STANDARD-COMPLIANT LABEL, AND STANDARD -COMPLIANT LABEL PRINTER [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012048324A2 . 2012-04-12

机译：标准兼容标签，提供标准兼容标签的方法以及标准兼容标签打印机
5. HYDROGEN ION IMPLANT DOSE MEASURING METHOD OF SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SUBSTRATE FOR STANDARD SAMPLE [P] . 日本专利： JP2006120901A . 2006-05-11

机译：硅基质中氢离子注入剂量的测定方法及标准样品中的基质