基于native晶体管的高电源抑制带隙基准源

摘要

基于native晶体管的高电源抑制带隙基准源，属于电源领域，本实用新型为解决传统带隙基准源的电源抑制问题比较严重；无法有效降低的问题。本实用新型包括误差放大器A、native NMOS晶体管M_NA1、NMOS晶体管MN1、MN2、MN3、PMOS晶体管MP1、MP2、PNP型三极管Q1、Q2、R1、R2和R3；MP1源极、MN3漏极和M_NA1漏极连接VDD；MP1、MP2、MN1和MN2依次串联后接地；MN3栅极连接公共节点VG；M_NA1栅极连接R2、R3和基准源输出端VREF；M_NA1栅极连接A输出端；A同相输入端连R2和Q1，A反相输入端连R1、R3和Q2。