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抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线

摘要

本实用新型公开了一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,包括真空腔室区,所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室;相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门,第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区,第二预初轴腔室出片口处设置下片升降区;真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴,基片载具传送轴一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达相接驱动;基片载具传送轴上对称设置有两个基片载具传动轮,靠近真空腔室区内壁两侧对称设置有基片载具导向轮。

著录项

  • 公开/公告号CN203700510U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2014-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 赫得纳米科技(昆山)有限公司;

    申请/专利号CN201420044685.5

  • 发明设计人 万志;

    申请日2014-01-24

  • 分类号C23C14/56(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/08(20060101);

  • 代理机构32224 南京纵横知识产权代理有限公司;

  • 代理人董建林

  • 地址 215300 江苏省苏州市昆山高科技工业园都市路21号

  • 入库时间 2022-08-22 00:10:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-09

    授权

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