LED芯片及具有该结构的阵列式LED芯片

摘要

本实用新型提供了一种LED芯片及具有该结构的阵列式LED芯片。LED芯片包括：衬底、形成于衬底的顶面上的N型GaN层、形成于N型GaN层的顶面上的多量子阱层、形成于多量子阱层的顶面上的P型GaN层；N型GaN层包括第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽包括N型电极；第二凹槽包括绝缘隔离层、透明导电层、P型电极；绝缘隔离层延伸至P型GaN层的顶面上；透明导电层延伸至绝缘隔离层外缘与P型GaN层顶面外缘之间。阵列式LED芯片，包括衬底和形成于衬底的顶面上的多个单元，多个单元结构相同，单元结构为上述LED芯片结构。