首页> 中国专利> μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉

μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉

摘要

本实用新型公开了μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉,属于物质微观结构实时检测的实验装置领域。该实用新型针对同步辐射μ-XAFS技术特点和原位实时观测熔融法晶体生长过程的要求,设计的微型晶体生长炉,可实现对熔融法晶体生长不同区域的原位实时观测,在微型晶体生长炉的竖直方向上呈现出晶体、生长边界层和熔体(高温溶液)等区域,同步辐射X射线可原位实时透射过上述三个区域,分别采集它们的微观配位结构信息,从而获得熔融法晶体生长时不同区域的配位结构及其变化规律。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):F27B17/02 授权公告日:20140604 终止日期:20171120 申请日:20131120

    专利权的终止

  • 2014-06-04

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号