一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置

摘要

本实用新型涉及薄膜生长领域，具体涉及一种电子束蒸镀ITO膜的蒸镀装置，用于LED芯片的制造，其特征在于：所述真空室的一侧设置有等离子枪，所述等离子枪作为蒸发源。本实用新型的优点是：采用等离子枪作为蒸发源，利用低电压高电流电子束蒸镀ITO薄膜，同传统高电压低电流电子束蒸镀比较，对基板的损伤大幅度降低；通过控制蒸镀条件，如基板温度，膜层厚度和蒸发速率等来沉积ITO薄膜，能够制备出平均透过率大，方阻小的薄膜，满足作为P型电极的光电特性；在蒸镀材料蒸发通过等离子区时，被等离子体离化，二次获得能量，从而获得良好的大晶粒、高透过率ITO薄膜，且由于ITO薄膜晶体颗粒大，提高了ITO薄膜的霍耳迁移率，降低了其方块电阻。