公开/公告号CN203498467U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院金属研究所;
申请/专利号CN201320467293.5
申请日2013-07-31
分类号
代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2022-08-22 00:03:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/04 授权公告日:20140326 终止日期:20170731 申请日:20130731
专利权的终止
2014-03-26
授权
授权
机译: 等离子体增强化学气相沉积法沉积薄膜的装置
机译: 用等离子体增强化学气相沉积形成薄膜的方法及其装置
机译: 等离子体增强化学气相沉积装置和使用相同方法形成锂基薄膜的方法