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一种电阻变动小的晶体管

摘要

本实用新型涉及一种晶体管,属于半导体领域。一种电阻变动小的晶体管,包括晶体管主体和应力施加部,所述的晶体管主体包括形成基板、层叠于形成基板上的第一半导体层和比第一半导体层带隙大的第二半导体层,所述的晶体管主体设置于应力施加部上;所述的应力施加部为由保持基板主体和电压施加电路构成的保持基板。本实用新型与现有技术相比,具有如下优点:能实现温度变化引起的薄层电阻的变动小。

著录项

  • 公开/公告号CN203481239U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2014-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江西省一元数码科技有限公司;

    申请/专利号CN201320554965.6

  • 发明设计人 洪元本;彭成炫;

    申请日2013-09-09

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 330000 江西省南昌市高新区紫阳大道288号

  • 入库时间 2022-08-22 00:03:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/778 授权公告日:20140312 终止日期:20150909 申请日:20130909

    专利权的终止

  • 2014-03-12

    授权

    授权

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