法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L33/14 授权公告日:20131113 终止日期:20160507 申请日:20130507
专利权的终止
2013-11-13
授权
授权
机译: QDLED量子点发光二极管的量子点发光二极管空穴传输层及其制造方法
机译: 用于空穴注入传输层的装置材料,用于形成空穴注入传输层的墨水,包括空穴注入传输层的装置以及该装置的制造方法
机译: 用于空穴注入传输层的装置材料,用于形成空穴注入传输层的墨水,包括空穴注入传输层的装置以及该装置的制造方法