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以棒状WO3为空穴传输层的CdSe量子点LED装置

摘要

本实用新型涉及一种以棒状WO3为空穴传输层的CdSe量子点LED装置,包括自下而上依次叠加的阳极、空穴传输层、胶体量子点层、电子传输层和阴极;所述空穴传输层为纳米棒状结构的WO3薄膜;所述胶体量子点层为CdSe/ZnS量子点层。本实用新型采用纳米棒状结构的WO3薄膜可有效提高空穴传输层的载流子传输效率,从而提高了QLED的发光效率。

著录项

  • 公开/公告号CN203288635U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东华大学;

    申请/专利号CN201320242340.6

  • 发明设计人 陈学诚;郭利;覃欣欣;李耀刚;

    申请日2013-05-07

  • 分类号H01L33/14(20100101);

  • 代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所;

  • 代理人宋缨;孙健

  • 地址 201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号

  • 入库时间 2022-08-21 23:57:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L33/14 授权公告日:20131113 终止日期:20160507 申请日:20130507

    专利权的终止

  • 2013-11-13

    授权

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