复合空穴传输层对全溶液法QLED性能影响的研究

摘要

利用三种空穴传输材料分别与常用空穴传输材料TFB混合,采用溶液旋涂法制备了混合空穴传输层,研究复合空穴传输层对于QLED器件亮度和电流性能的影响.由于TFB和空穴传输材料的HOMO能级形成阶梯势垒,且这三种有机材料的空穴迁移率与TFB相差不大,CBP甚至超过TFB,到l×10-3cm2/V·s1,保持总的旋涂液量不变可使空穴传输层的厚度基本一致,因此使空穴的注入势垒将会降低,空穴注入率提升,同时降低了启亮电压;其次,电子由阴极经过ZnO注入到量子点层的势垒很小,且无机ZnO纳米颗粒的电子迁移率很高,通常在量子点层中的电子较多,即载流子不平衡2,而我们的器件结构使空穴注入加强,促进了载流子平衡,提高了器件的亮度及电流效率.