一种具有低掺杂度漏极的TFT

摘要

本实用新型提出了一种具有低掺杂度漏极的TFT，包括：依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层和栅极金属层，各层之间按照TFT的结构连接构成TFT，所述非晶硅层经过了结晶化处理，所述非晶硅层包含两个低掺杂度离子注入区，所述栅极金属层在非晶硅层的投影面积小于栅极绝缘层在非晶硅层的投影面积。本实用新型的有益效果：本实用新型的一种具有低掺杂度漏极的TFT，由于其使用了栅极金属层在非晶硅层的投影面积小于栅极绝缘层在非晶硅层的投影面积的结构，使得本实用新型的具备低掺杂度漏极的TFT在制造过程中无需使用两张mask，简化了工艺工程并节约了工艺成本。