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一种适用于大面积表面等离子体处理的新型源极结构

摘要

本实用新型提供的一种可用于大面积表面等离子体处理的新型源极结构,由4~6金属靶材和固定金属靶材的靶托组成,靶材呈格栅状排列,靶材的一端为凸台结构,靶托上有与凸台对应的凹槽。靶材上的凸台和靶托上的凹槽为梯形或燕尾形,两者接触的侧面与水平面的倾斜角为65°~80°。所述凹槽等距离分布在靶托上,凹槽的间距为10~20mm。该新型源极结构在平面源极结构的基础上,增加与其平面相垂直的格栅,每个格栅片之间能够产生空心阴极等离子放电,从而在同样电压条件下,能够获得比传统平面状源极结构更高的等离子体浓度,适用于大面积工件的处理。

著录项

  • 公开/公告号CN202688420U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京航空航天大学;

    申请/专利号CN201220247231.9

  • 申请日2012-05-30

  • 分类号C23C14/34(20060101);C23C14/38(20060101);

  • 代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人李纪昌

  • 地址 210016 江苏省南京市御道街29号

  • 入库时间 2022-08-21 23:40:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-23

    授权

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