退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN202688420U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-01-23
原文格式PDF
申请/专利权人 南京航空航天大学;
申请/专利号CN201220247231.9
发明设计人 张平则;黄俊;魏东博;缪强;梁文萍;姚正军;徐重;
申请日2012-05-30
分类号C23C14/34(20060101);C23C14/38(20060101);
代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人李纪昌
地址 210016 江苏省南京市御道街29号
入库时间 2022-08-21 23:40:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-23
授权
机译: 具有垂直栅极结构的垂直晶体管,该垂直栅极结构具有顶表面或顶表面,该顶表面或顶表面限定在垂直源极和垂直漏极之间形成的小平面
机译: 一种新型结构,可制造具有自对准源极和自对准浮置栅极以控制栅极的分离栅
机译: 电容耦合等离子体的电极结构,为了确保大面积等离子体源和基质处理设备(包括相同的来源),仅使用一种源代替几种源
机译:具有固定光电二极管的新型有源像素结构,适用于宽动态范围图像传感器
机译:具有亚波长衍射光栅的平面型表面波等离子体源,适用于大面积等离子体应用
机译:新型T形源极/漏极扩展(T-SSDE)栅极下重叠GAA MOSFET,具有增强的亚阈值模拟/ RF性能,适用于低功耗应用
机译:适用于深亚微米MOSFET的新型垂直分层高阻热载流子源极/漏极结构
机译:使用密度泛函理论,预测一种适用于PEC工艺产生氢的新型季光催化剂,并确定其结构,电子和光学性质。
机译:一种适用于低功率应用的新型锗环绕源栅极全能隧穿场效应晶体管
机译:一种适用于手机的新型宽带有源反馈放大器线性化方案
机译:一种适用于高压低电流漏极应用的新型电化学系统