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用于生成可调带隙参考电压的设备和集成电路

摘要

本实用新型涉及用于生成可调带隙参考电压的设备和集成电路。该设备包括:第一装置,用于生成与绝对温度成正比的电流;第二装置,用于生成与绝对温度成反比的电流;以及输出模块,设计成生成参考电压;第一处理装置包括第一放大器和反馈级,第一放大器拥有至少一个第一级,第一级基于与绝对温度成反比的电流偏置、根据折叠设置布置且包括根据共同栅极设置布置的第一PMOS晶体管,反馈级的输入连接到放大器的输出而反馈级的输出连接到第一级的输入及芯的至少一个端子,第二生成装置包括连接到芯的端子且与第一放大器分离的跟随放大器设置,输出模块连接到反馈级。由此实现具有最大电源抑制比。

著录项

  • 公开/公告号CN202677242U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-01-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体(鲁塞)公司;

    申请/专利号CN201220229340.8

  • 发明设计人 J·弗特;T·索德;

    申请日2012-05-16

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 法国鲁塞

  • 入库时间 2022-08-21 23:40:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-13

    避免重复授予专利权 IPC(主分类):G05F1/565 授权公告日:20130116 放弃生效日:20160113 申请日:20120516

    避免重复授权放弃专利权

  • 2013-01-16

    授权

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