首页> 中国专利> 用特殊离子源装置和以分子离子注入处理有图案化磁畴的HDD(高密度磁盘)

用特殊离子源装置和以分子离子注入处理有图案化磁畴的HDD(高密度磁盘)

摘要

本发明提供一种制造磁存储介质的方法和装置。将结构基板涂覆磁敏感材料,并且在磁敏感材料上方形成图案化抗蚀层。将原子团导向基板,穿透抗蚀剂并且注入磁敏感层。在某些区域中抗蚀剂的厚的部分防止注入,以在基板上形成磁性的图案。原子团的能量和成分、抗蚀剂的厚度和硬度以及磁敏感材料的晶格能都可被调节,以产生所需的原子团的分裂和注入,包括在某些实施方式中只冲击表面而没有注入。在图案化的磁敏感层上方形成保护层和润滑层。

著录项

  • 公开/公告号CN102362311B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201080013678.3

  • 申请日2010-04-08

  • 分类号

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B5/84 授权公告日:20160420 终止日期:20190408 申请日:20100408

    专利权的终止

  • 2016-04-20

    授权

    授权

  • 2016-04-20

    授权

    授权

  • 2012-05-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B5/84 申请日:20100408

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/84 申请日:20100408

    实质审查的生效

  • 2012-02-22

    公开

    公开

  • 2012-02-22

    公开

    公开

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