法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B11/00 授权公告日:20121212 终止日期:20150509 申请日:20120509
专利权的终止
2012-12-12
授权
授权
机译: 用于硅晶体生产的石墨坩埚及铸锭去除方法
机译: 硅晶体生长坩埚,用于硅晶体生长的坩埚制造方法以及硅晶体生长方法
机译: 在垂直梯度冻结工艺之后生产由多晶硅制成的铸锭,包括用于填充块状或粒状硅的坩埚,以及用于加热坩埚以冷却填充的硅的加热装置