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公开/公告号CN202433489U
专利类型实用新型
公开/公告日2012-09-12
原文格式PDF
申请/专利权人 广州市昆德科技有限公司;
申请/专利号CN201120545038.9
发明设计人 王昕;李俊生;冯小明;钟雄;田蕾;
申请日2011-12-22
分类号
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人裘晖
地址 510650 广东省广州市天河区白沙水路123号东门三楼
入库时间 2022-08-21 23:34:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-09-12
授权
机译: 无位错(硅)半导体单晶产品。 -通过孔和复合中心产品的载流子寿命较低的区域。
机译: 具有增加的少数载流子寿命的碳化硅晶体的生产方法
机译: 产生碳化硅晶体的过程无效,该晶体具有增加的少数载流子寿命
机译:非接触微波技术测量硅晶片中非平衡载流子复合寿命
机译:高水平注入的SiC反射的微波信号准确评估载流子寿命
机译:微波非接触法测量硅晶片中非平衡载流子的有效寿命
机译:非接触式六端口反射仪,用于微波电路模块的现场测量。
机译:使用谐振微波电路测量微米级材料中的载流子寿命
机译:两种极性的氧化物连接上无载流子选择性载流子多晶硅的无光刻背结背接触太阳能电池的复合行为
机译:通过观察点接触下扩散电阻的光电导衰减测量半导体少数电流载流子寿命