公开/公告号CN202261243U
专利类型实用新型
公开/公告日2012-05-30
原文格式PDF
申请/专利权人 厦门立昂电子科技有限公司;
申请/专利号CN201120413703.9
申请日2011-10-27
分类号
代理机构
代理人
地址 361000 福建省厦门市思明区前埔工业园55号515室
入库时间 2022-08-21 23:29:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03M1/66 授权公告日:20120530 终止日期:20141027 申请日:20111027
专利权的终止
2012-05-30
授权
授权
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 使用单芯片控制器中的芯片选择信号(/ PCS)端子的DMA识别信号(/ DACK)生成电路
机译: --一种具有DAC控制的RAMP发生器的装置,用于将电压应用于彩色光电显示设备中的单个像素