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公开/公告号CN202097608U
专利类型实用新型
公开/公告日2012-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江师范大学;
申请/专利号CN201120142304.3
发明设计人 贺新升;高春甫;王彬;王冬云;卾世举;朱喜林;
申请日2011-05-08
分类号
代理机构吉林长春新纪元专利代理有限责任公司;
代理人魏征骥
地址 浙江省金华市迎宾大道688号
入库时间 2022-08-21 23:25:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-26
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B24B1/00 授权公告日:20120104 终止日期:20120508 申请日:20110508
专利权的终止
2012-01-04
授权
机译: 一种调理抛光垫以提高抛光垫均匀性和材料去除率的方法
机译: 化学机械抛光垫具有偏置的圆周槽,可提高去除率和抛光均匀性
机译: 具有偏置周向凹槽的化学机械抛光垫,可提高去除率并抛光均匀性
机译:玻璃磁流变抛光的去除率模型
机译:抛光参数对材料去除率和不均匀性影响的研究
机译:往复磁流变抛光工艺中磁流变抛光液的制备与实验
机译:一种控制氧化物CMP晶片液抛光率均匀性的预测模型
机译:主流亚硝酸盐氧化细菌的选择和厌氧氨氧化抛光以提高氮去除率的可行性。
机译:往复式磁流变抛光材料去除模型研究
机译:SiO2化学机械抛光(CMP)工艺的半经验材料去除率分布模型
机译:连续研磨/抛光机中材料去除,去除率和preston系数的计算。