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用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路

摘要

本实用新型涉及一种用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路,包括输入信号端,输出信号端,时钟信号端,休眠信号端,预充管,保持管,时钟管,休眠管,输出静态反相器和下拉网络。保持管,休眠管和输出静态反相器中的NMOS管为高阈值的晶体管,其余晶体管为低阈值的晶体管;PMOS休眠管的源极接电源,漏极接输出静态反相器的PMOS管的源极,对于两个NMOS休眠管,一个NMOS休眠管的源极接动态结点,另一个NMOS休眠管的源极接输出端,两个NMOS休眠管的漏极接地电压;用于低功耗VLSI的休眠管多米诺电路中,所有PMOS管的衬底接电源电压,所有NMOS管的衬底接地电压。

著录项

  • 公开/公告号CN201918976U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2011-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201020574314.X

  • 申请日2010-10-15

  • 分类号

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人魏聿珠

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-21 23:21:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K19/017 授权公告日:20110803 终止日期:20141015 申请日:20101015

    专利权的终止

  • 2011-08-03

    授权

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