首页> 中国专利> 用于确定掺杂的半导体区域的有效掺杂浓度的方法

用于确定掺杂的半导体区域的有效掺杂浓度的方法

摘要

描述了用于光学地确定基本完全激活的掺杂分布图的方法(200)和系统。用一组物理参数来表征该基本完全激活的掺杂分布图。该方法(200)包括获得包含完全激活的掺杂分布图的样本和参照物、以及对于包含完全激活的掺杂分布图的该样本和对于该参照物,获得(210,230)光学调制的反射系数(PMOR)偏置曲线测量数据和DC反射系数测量数据。该方法还包括基于光学调制反射系数偏置曲线测量和DC反射系数测量二者,确定(220、240)掺杂分布图的一组物理参数的值。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-04

    授权

    授权

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/17 申请日:20110606

    实质审查的生效

  • 2013-02-20

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号