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双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管

摘要

双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管属于半导体光电子技术领域。该结构依次层叠有上电极(100)、电流扩展层(102)、发光单元(200)、转移衬底(301)、衬底方向的下电极(101)。在上电极(100)下方以及转移衬底(301)上方分别制备上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105),且上电流阻挡层(104)和下电流阻挡层(105)在层叠方向的位置相对应。本实用新型的这种结构方式在薄膜型发光二极管中能够起到彻底阻挡注入电流的作用,避免了注入电流产生的光子被电极阻挡和吸收,大大地提高了有效电流的比例,同时也增加了出光效率,减少了热的产生。

著录项

  • 公开/公告号CN201699049U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2011-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈光地;陈依新;

    申请/专利号CN201020174394.X

  • 发明设计人 沈光地;陈依新;

    申请日2010-04-23

  • 分类号

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴荫芳

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号光电子技术实验室

  • 入库时间 2022-08-21 23:15:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-15

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L33/14 授权公告日:20110105 终止日期:20150423 申请日:20100423

    专利权的终止

  • 2011-01-05

    授权

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