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一种大功率平面结单向TVS二极管芯片

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摘要

一种大功率平面结单向TVS二极管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在N区的一面设置P扩散区，另一面设置N+扩散区，在所述P扩散区和N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区的外侧、于N区表面设置PN结平面SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-23

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/861 授权公告日:20110105 终止日期:20190622 申请日:20100622

专利权的终止
2011-01-05

授权

授权

1. 一种大功率平面结单向TVS二极管芯片 [P] . 中国专利： CN201699018U . 2011.01.05
2. 一种大功率平面结双向TVS二极管芯片及其生产方法 [P] . 中国专利： CN101916786A . 2010-12-15
3. High power head lamp for use as military searchlight, has high power light emitting diode light source and reflector, where tightly packed light emitting diode chip is used with light radiation as high-power light emitting diode lamp [P] . 德国专利： DE102012020931A1 . 2014-04-30

机译：大功率头灯，用作军用探照灯，具有大功率发光二极管光源和反射镜，其中紧密封装的发光二极管芯片与光辐射一起用作大功率发光二极管灯
4. HETERO-JUNCTION DIODE, A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND AN ELECTRONIC DEVICE COMPRISING HETERO-JUNCTION DIODE [P] . 韩国专利： KR20100130419A . 2010-12-13

机译：异质结二极管，一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
5. A semiconductor module comprising transistor chips, diode chips and driver chips arranged in a common plane [P] . 德国专利： DE102017101185A1 . 2018-07-26

机译：一种半导体模块，包括布置在同一平面中的晶体管芯片，二极管芯片和驱动器芯片