公开/公告号CN201562681U
专利类型实用新型
公开/公告日2010-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电力电子技术研究所;
申请/专利号CN200920245484.0
申请日2009-11-27
分类号H01L29/74(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/332(20060101);
代理机构西安文盛专利代理有限公司;
代理人彭冬英
地址 710061 陕西省西安市朱雀大街94号
入库时间 2022-08-21 23:11:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-20
专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L29/74 授权公告日:20100825 申请日:20091127
专利权的终止
2016-08-03
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L29/74 变更前: 变更后: 申请日:20091127
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-01-23
专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/74 变更前: 变更后: 登记生效日:20121220 申请日:20091127
专利申请权、专利权的转移
2010-08-25
授权
授权
机译: 晶闸管反向击穿电压的调节方法使用负掺杂和正掺杂的基极,集电极和发射极以及氢诱导的施主
机译: 晶闸管具有半导体主体和阴极区域,其中在垂直方向上彼此正上方布置正掺杂的发射极,负掺杂的基极,正掺杂的基极和负掺杂的发射极。
机译: 用于提供交流或三相电流的设备具有控制电路,该控制电路在正半波和负半波期间切换以反向并联方式接通和断开的反向阻断IGBT。