法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-02-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J37/28 授权公告日:20091230 终止日期:20140105 申请日:20090105
专利权的终止
2009-12-30
授权
授权
机译: 用于磁控等离子体溅射镀膜的装置和用于溅射镀膜基板的方法
机译: 用于在真空下进行离子束刻蚀期间溅射材料的收集装置,包括布置在要刻蚀的基板两侧的离子束源,以及将离子源产生的束反射向基板的表面积
机译: 具有电介质袋和等离子源的等离子源溅射刻蚀装置