带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器

摘要

本实用新型涉及一种带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器包括一个P型衬底；一个制作在P型衬底上的N阱以及N阱接触区；一个制作在N阱周围的p+保护环；一个制作在N阱上的引出电极，为CMOS硅光电探测器的负极；一个制作在N阱中的螺旋状p+注入区以及制作在螺旋状p+注入区中的接触区；一个制作在螺旋状p+注入区上并成为平面螺旋电感的螺旋状金属引出电极，为CMOS硅光电探测器的正极。本实用新型能够大大提高光接收机的带宽，进而可实现高速、高灵敏度的CMOS光电集成接收机。