首页> 中国专利> 一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置

一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置

摘要

本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种新型的改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置。所述改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置设有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置放置于靶材后面,和靶材同轴放置,辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周围。本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用,在靶面上形成动态分布的拱形磁场,达到改善弧斑的放电形式和工作稳定性,控制弧斑的运动轨迹,提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率,减少靶材大颗粒的发射,用以制备高质量的薄膜的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN201158702Y

    专利类型

  • 公开/公告日2008-12-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院金属研究所;

    申请/专利号CN200820010151.5

  • 申请日2008-01-11

  • 分类号C23C14/35(20060101);

  • 代理机构21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司;

  • 代理人张志伟

  • 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

  • 入库时间 2022-08-21 23:00:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-03-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/35 授权公告日:20081203 终止日期:20130111 申请日:20080111

    专利权的终止

  • 2008-12-03

    授权

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