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公开/公告号CN201158702Y
专利类型
公开/公告日2008-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院金属研究所;
申请/专利号CN200820010151.5
发明设计人 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杜昊;赵彦辉;杨英;闻立时;
申请日2008-01-11
分类号C23C14/35(20060101);
代理机构21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司;
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2022-08-21 23:00:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-12
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/35 授权公告日:20081203 终止日期:20130111 申请日:20080111
专利权的终止
2008-12-03
授权
机译: 双磁控/阴极弧蒸气源
机译: 磁控源涂层沉积靶的制备方法
机译: 用于大衬底沉积的磁控源
机译:基于磁控放电的离子源,用于改善惯性静电约束聚变装置
机译:磁铜合金薄膜沉积过程中基板温度的影响通过磁控耦合对蓄电工艺
机译:新型3-D磁控源的开发与效用,用于高速率沉积高速率沉积在室温附近的高导电ITO薄膜
机译:非磁控电弧离子镀制备的沉积层与基体相同基本成分组成的镀层的结构特征
机译:两个磁控真空弧开关的动态建模。
机译:磁控治疗剂载体的耐磨固定装置:在软骨修复中的应用
机译:反应磁控喷涂法优化金属氮氧化物的沉积工艺
机译:DURIp:磁控空气等离子体工艺设备。