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提高量子效率的大功率发光二极管芯片

摘要

一种提高量子效率的大功率发光二极管芯片,主要包括:外延层、衬底,其特征在于所述外延层设置在衬底上,外延层设置为分离的微单元结构的阵列,外延层顶面可设置一导光层,导光层上设有微结构,或直接在外延层顶面设有微结构。本实用新型的优点是采用微单元结构的阵列提高了发光二极管的量子效率,增加发光二极管的散热效率,通过引入导光层上加工微结构,更加有效地提高了发光二极管的量子效率,使发光二极管照明光源更加节能。

著录项

  • 公开/公告号CN201149873Y

    专利类型

  • 公开/公告日2008-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 甘志银;刘胜;

    申请/专利号CN200720076694.2

  • 发明设计人 甘志银;刘胜;王恺;汪沛;

    申请日2007-10-26

  • 分类号

  • 代理机构上海市华诚律师事务所;

  • 代理人李平

  • 地址 201203 上海市张江碧波路500号309室

  • 入库时间 2022-08-21 23:00:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-24

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20081112 申请日:20071026

    专利权的终止

  • 2008-11-12

    授权

    授权

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