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公开/公告号CN201149873Y
专利类型
公开/公告日2008-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 甘志银;刘胜;
申请/专利号CN200720076694.2
发明设计人 甘志银;刘胜;王恺;汪沛;
申请日2007-10-26
分类号
代理机构上海市华诚律师事务所;
代理人李平
地址 201203 上海市张江碧波路500号309室
入库时间 2022-08-21 23:00:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-24
专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20081112 申请日:20071026
专利权的终止
2008-11-12
授权
机译: 垂直发光二极管及其制造方法,能够通过增加外部量子效率来提高芯片的发光效率
机译: 包括电流阻挡层的发光二极管和能够提高外部量子效率的发光二极管封装
机译: 安装有发光二极管芯片的发光二极管封装,可以通过在发光二极管封装中形成散热片来提高发光效率
机译:使用聚苯乙烯纤维垫提高量子点基芯片发光二极管的发光效率
机译:结合了自织构化的氧化膜,紫外倒装芯片发光二极管的外部量子效率提高了83%
机译:输出功率为3.3 W的大功率垂直蓝光发光二极管的光提取效率和内部量子效率的研究
机译:通过结合自纹理氧化物掩膜结构,可将大面积380 nm倒装芯片发光二极管的外部量子效率提高83%
机译:III型氮化物发光二极管内部量子效率提高和效率下降问题的设备工程
机译:阳极氧化铝提高倒装芯片蓝色发光二极管的光提取效率
机译:提高具有抗反射界面层的GaN基倒装芯片发光二极管的光提取效率
机译:交错InGaN量子阱发光二极管提高辐射效率。