自对准接触孔的小尺寸MOSFET结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种自对准接触孔的小尺寸MOSFET的制作方法，包括步骤：1）刻蚀沟槽，生长栅氧，淀积多晶硅并回刻；3）生长衬垫氧化层，进行体区、源区注入及热退火；4）淀积氮化硅和LPTEOS；5）回刻除去TEOS和氮化硅；6）淀积层间介质层并平坦化；7）涂布光刻胶，曝光接触孔；然后除去光刻胶，干法刻蚀层间介质层至硅表面，再进行硅刻蚀，形成接触孔底部沟槽。本发明还公开了应用上述方法制作的MOSFET结构。本发明通过在传统制造工艺基础上，增加一层SiN和LPTEOS的淀积和刻蚀，实现了接触孔与栅极沟槽的自对准，从而在不增加光刻层数的前提下，解决了元胞尺寸缩小过程中遇到的接触孔套准精度问题。