公开/公告号CN201001004Y
专利类型
公开/公告日2008-01-02
原文格式PDF
申请/专利权人 河北工业大学;
申请/专利号CN200720095047.6
申请日2007-01-23
分类号H01S5/183(20060101);H01S5/187(20060101);H01S5/34(20060101);H01S5/028(20060101);H01S5/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学知识产权办公室
入库时间 2022-08-21 22:56:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-07-01
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权) 放弃生效日:20070123 申请日:20070123
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
2008-01-02
授权
授权
机译: 控制掺杂氧化物层和非掺杂氧化物层之间刻蚀选择性的方法
机译: 控制掺杂氧化物层和非掺杂氧化物层之间刻蚀选择性的方法
机译: 在生产与双极晶体管的非本征基极自对准的发射极时使用的多晶硅层刻蚀工艺涉及停止在锗或硅锗中间层上或之中的等离子体刻蚀,以形成凹槽