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公开/公告号CN2874523Y
专利类型
公开/公告日2007-02-28
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN200520036392.3
发明设计人 李恩;郭高凤;张其劭;
申请日2005-12-06
分类号G01R31/12(20060101);G01R31/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 610054 四川省成都市建设北路二段四号
入库时间 2022-08-21 22:53:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-02-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R31/12 授权公告日:20070228 终止日期:20100106 申请日:20051206
专利权的终止
2007-02-28
授权
机译: 一种用于将渗透性电磁辐射真空连接的装置,在谐振腔中是一个高功率射频-真空管,其布置成带有端部的圆柱形壁
机译: 微波频率下低阻材料高复介电常数的测量装置
机译: 微波测试高虚拟负载的形成方法和微波测试高虚拟负载的装置
机译:一种测量微波频率下有损耗电介质复介电常数的方法
机译:复介电常数分析的再探讨:具有谐振腔的有机半导体的微波光谱
机译:带有纳米多孔氧化铝电介质的圆柱形电极之间的共面交流放电:模块化电介质阻挡等离子体装置
机译:一种测定高损耗平面样品复介电常数和厚度的简单微波技术
机译:新型高k电介质增强型III-氮化物装置
机译:一种利用MRI进行射频/微波发射装置安全性测试的方法
机译:一种新型电介质测量的全波模态分析,用于精确测量微波频率的高损耗液体复杂介电常数
机译:微波谐振腔法测量复介电常数