The Ohio State University.;
机译:具有栅极堆叠(GS)高k电介质的FinFET设备的性能增强,用于纳米级应用
机译:高k电介质中的瞬态双载流子响应及其对高k互补金属氧化物半导体器件中瞬态电荷效应的影响
机译:利用超薄聚(4-乙烯基苯酚)层在石墨烯上播种高k电介质的原子层,以增强器件性能和可靠性
机译:高k电介质中的载流子复合及其对高k器件中瞬态电荷效应的影响
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:利用超薄高k栅极介电层增强黑磷晶体管载流子传输的接口工程
机译:MOS器件上高k电介质的总电离剂量响应
机译:具有增强性能的III族氮化物和相关的基于量子点的光电子器件