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变折射率薄膜的单源真空沉积法

摘要

本发明属于薄膜的制备方法。目前,关于变折射率材料(光纤、成像元件、光波导等)的制造方法较多,大多纯属化学法。真空蒸发法及溅射法又只能得到均匀折射率薄膜。本发明是采用单个电子束蒸发源,实行真空蒸发,在基底上获得变折射率薄膜,是一种物理法。此法获得变折射率膜的关键是膜科的选配工艺和采用电子束定域加热。此法与化学法相比,在制备工艺上具有较大的自由度的优点。本发明适用于制备微型光学元件或光集成元件所需的变折射率薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN85100569B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1988-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京工学院;

    申请/专利号CN85100569

  • 发明设计人 庞叔鸣;

    申请日1985-04-01

  • 分类号C23C14/00;H01L21/203;

  • 代理机构南京工学院专利事务所;

  • 代理人楼高潮

  • 地址 江苏省南京市四牌楼二号

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1988-06-01

    审定

    审定

  • 1986-07-02

    公开

    公开

  • 1986-06-10

    实质审查请求

    实质审查请求

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