机译:使用高真空金属有机化学气相沉积法和单源前驱体沉积碳化硅膜:其结构性质的研究
Sungkyunkwan Univ, Dept Chem, Suwon 440746, South Korea;
SIC THIN-FILMS; HETEROEPITAXIAL GROWTH; 1; 3-DISILABUTANE; PRESSURE; SI(100); SI(001);
机译:金属有机分子束沉积和金属有机化学气相沉积生长ZnO薄膜的结构和光学性质的比较研究
机译:使用单分子前体通过高真空金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长单晶GaN薄膜
机译:热退火对聚合物源化学气相沉积制备非晶碳化硅膜结构和力学性能的影响
机译:新型等离子体增强化学气相沉积源技术沉积氧化硅,氮化硅和碳化硅薄膜
机译:通过聚合物源化学气相沉积合成的非晶碳化硅和碳氮化硅薄膜的表征。机械结构和金属界面性能
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:等离子体辅助金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长AlxGa1-xN / GaN异质结构薄膜的微观结构和光学性质
机译:新型单固体源金属有机化学气相沉积法制备pbTiO {sub 3}和pb(Zr {sub x} Ti {sub 1 {minus} x})O {sub 3}薄膜