机译:使用单分子前体通过高真空金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长单晶GaN薄膜
Sungkyunkwan Univ, Dept Chem, Suwon 440746, South Korea;
LUMINESCENT PROPERTIES; PHASE EPITAXY; DIODES; LAYERS; AIN;
机译:使用单分子前体通过金属有机化学气相沉积法在Si(100)衬底上生长TiO {sub} 2薄膜
机译:使用高真空金属有机化学气相沉积法和单源前驱体沉积碳化硅膜:其结构性质的研究
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机译:通过等离子体辅助金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长的Al_XGA_1-XN / GaN异质结构薄膜的微观结构和光学性质
机译:固态材料的分子前体:挥发性无水金属硝酸盐作为单源前体分子,用于化学气相沉积金属氧化物薄膜
机译:通过化学气相沉积法大面积生长均匀的单层MoS2薄膜
机译:等离子体辅助金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长AlxGa1-xN / GaN异质结构薄膜的微观结构和光学性质