一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构，包括：P型衬底上方形成有有源区，P型赝埋层形成于有源区中，P型赝埋层上方形成有多个浅沟槽隔离，浅沟槽隔离放上形成有多晶硅层，有源区上方形成有发射区，发射区与多晶硅层交替排列，发射区通过接触孔引出连接金属连线，P型赝埋层通过深接触孔引出连接金属连线，深接触孔中具有钛或锡和钨。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构的制造方法。本发明的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法能增加PIN器件的正向导通电流，增加PIN器件的有效面积，降低PIN器件的插入损耗。