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超自对准亚微米结构的硅微波功率芯片

摘要

超自对准亚微米结构的硅微波功率芯片是一种用于硅微波双极型功率晶体管,该芯片以高浓度n++硅为衬底,在该衬底上面是n型外延层,在n型外延层上面分别相间隔设有P型注人层和P+扩散层,在P型注入层上面设有作为发射极的掺砷多晶硅层,在掺砷多晶硅层与P型注入层之间设有n+发射区层,在P+扩散层的上面和掺砷多晶硅层的上面分别设有金属化导电层,在作为发射极的掺砷多晶硅层与P+扩散层之间设有氮化硅隔离层。

著录项

  • 公开/公告号CN2503608Y

    专利类型

  • 公开/公告日2002-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 信息产业部电子第五十五研究所;

    申请/专利号CN01262961.8

  • 发明设计人 王因生;张树丹;林金庭;

    申请日2001-09-26

  • 分类号H01L29/72;

  • 代理机构南京经纬专利代理有限责任公司;

  • 代理人沈廉

  • 地址 210016 江苏省南京市中山东路524号

  • 入库时间 2022-08-21 22:43:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-23

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L29/72 授权公告日:20020731 期满终止日期:20110926 申请日:20010926

    专利权的终止

  • 2002-07-31

    授权

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