退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN2195154Y
专利类型
公开/公告日1995-04-19
原文格式PDF
申请/专利权人 庞育孝;
申请/专利号CN94216699.X
发明设计人 庞育孝;
申请日1994-07-13
分类号H02J7/24;H02P9/30;
代理机构贵州省专利服务中心;
代理人郭防
地址 550001 贵州省贵阳市外环东路86号
入库时间 2022-08-21 22:36:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1996-09-04
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-04-19
授权
机译: 具备外部接触器点混合式厚膜集成电路装置
机译: 具有外部接触的混合式厚膜集成电路设备
机译: 混合式厚膜集成电路及其功能调整方法
机译:晶体管的开发,具有超出NTT,800 GHz,开发Terrahertz频段集成电路的晶体管的晶体管,用于实现Iownibeyond5G的世界
机译:专利申请批准过程中的“制造包含双极晶体管和集成电路的集成电路的方法”
机译:基于堆叠晶体管的电子带铟磷化铟双异质结双极晶体管单整体微波集成电路功率放大器
机译:一种基于模拟和数字集成电路设计自动化的混合式优化技术
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有TCAD仿真的反馈场效应晶体管的单片3D集成电路逆变器研究
机译:厚膜氢Silsesquioxane平面为电子 - 光子集成电路相关的无源部件技术
机译:上海无线电厂14.全国第一家专注于mOs集成电路的无线电厂。理想的半导体器件,场效应晶体管和mOs集成电路