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双岛五梁结构单块硅加速度传感器

摘要

本实用新型属于半导体硅加速度传感器的领域。硅芯片采用双岛五梁的微机械结构,力敏元件集中在二维图形对称中心的梁区上,因而可消除或显著减小横向效应,得到横向效应小,灵敏度高而工艺可控性好的单块硅加速度传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN2076240U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日1991-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN90215390.0

  • 发明设计人 鲍敏杭;陈健;沈绍群;

    申请日1990-10-19

  • 分类号G01P15/08;G01D5/12;

  • 代理机构复旦大学专利事务所;

  • 代理人陆飞

  • 地址 200433 上海市邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-21 22:33:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1993-09-08

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 1991-12-18

    授权

    授权

  • 1991-05-01

    公开

    公开

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