抑制NMOS器件的双峰效应的方法

摘要

本发明公开了一种抑制NMOS器件的双峰效应的方法，本发明方法通过在P阱注入之后进行一次N型离子注入并在有源区的表面形成N型杂质层，N型杂质层和P阱都具有有源区表面的顶角边缘处的杂质浓度低的特征，故N型杂质层和相同位置处的P阱的P型杂质进行中和后，能使得有源区表面的顶角边缘处的P型杂质的净掺杂浓度会相对提高、而有源区表面的中间区域的P型杂质净掺杂浓度会相对降低，能使得后续形成的NMOS器件的位于所述有源区的边缘位置处的阈值电压大于等于所述有源区中间区域的阈值电压，从而能够消除在有源区边缘位置处存在的寄生NMOS器件，降低有源区边缘处器件漏电，从而能有效抑制NMOS器件中的双峰效应。