一种增加选择发射极制程中使用的掩膜宽度的方法

摘要

本发明公开了一种增加选择发射极制程中使用的掩膜宽度的方法，太阳能电池的制备过程中，在背面刻蚀时，使晶硅片在刻蚀药液中进行刻蚀，通过对腐蚀条件进行调整，从而控制晶硅片与刻蚀药液的反应速率来增加掩膜融化后的宽度；其中，腐蚀条件包括：刻蚀药液为浓度为120~200g/L的氢氟酸和浓度为600~800g/L的硝酸；腐蚀温度为15℃~25℃；腐蚀速度为1.0~2.0m/min；晶硅片的腐蚀量为0.2~0.5g/m²。本发明的方法能够降低掩膜的初始设计宽度，减小掩膜的消耗量，降低去除掩膜的用药成本。