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用于薄膜太阳能电池的扩散阻挡层

摘要

本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)(CZTSSe)之类的太阳能电池的方法,包括以下步骤。利用钼(Mo)层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上,其中,该构成成分包括硫(S)和硒(Se)中的一种或多种。对该构成成分进行退火,以形成吸收层,其中,所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力,并且其中,所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。

著录项

  • 公开/公告号CN103180970B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN201180051453.1

  • 申请日2011-10-20

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/0224(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人于静;张亚非

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:37:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/18 授权公告日:20160330 终止日期:20181020 申请日:20111020

    专利权的终止

  • 2016-03-30

    授权

    授权

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20111020

    实质审查的生效

  • 2013-06-26

    公开

    公开

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