公开/公告号CN103098358B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-30
原文格式PDF
申请/专利权人 拉塞尔·雅克;
申请/专利号CN201180022774.9
申请日2011-03-24
分类号H02M1/08(20060101);H02M3/338(20060101);
代理机构11017 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人韩登营
地址 英国赫特福德
入库时间 2022-08-23 09:37:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-30
授权
授权
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M1/08 申请日:20110324
实质审查的生效
2013-05-08
公开
公开
机译: 多发射极型双极结型晶体管,双极CMOS DMOS器件以及多发射极型双极结型晶体管和双极CMOS DMOS器件的制造方法
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
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