一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光电阴极，GaAs纳米线材料激活成光电阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光电阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。