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用于鳍式场效应晶体管器件的后栅极隔离区域形成方法

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摘要

本发明公开了一种用于鳍式场效应晶体管(finFET)器件形成的方法，包括：在衬底上形成多个鳍；在多个鳍之上形成栅极区域；并且在形成栅极区域之后形成用于finFET器件的隔离区域，其中形成用于finFET器件的隔离区域包括执行对多个鳍的子集的氧化或者去除之一。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-28

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/336 登记生效日:20171109 变更前: 变更后: 申请日:20130704

专利申请权、专利权的转移
2016-03-23

授权

授权
2014-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20130704

实质审查的生效
2014-02-12

公开

公开

1. 用于鳍式场效应晶体管器件的后栅极隔离区域形成方法 [P] . 中国专利： CN103579007B . 2016.03.23
2. 具有不均匀栅极结构的鳍式场效应晶体管（FinFET）器件结构及其形成方法 [P] . 中国专利： CN106169501A . 2016-11-30
3. METHOD FOR FORMING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE STRUCTURE WITH CONDUCTIVE LAYER BETWEEN GATE AND GATE CONTACT [P] . 美国专利： US2020058794A1 . 2020-02-20

机译：栅极与栅极接触之间具有导电层的鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构的形成方法
4. FINFET FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR FINFET DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME [P] . 韩国专利： KR101820226B1 . 2018-01-18

机译：鳍式场效应晶体管场效应晶体管鳍式场效应晶体管器件结构及其形成方法
5. FINFET FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR FINFET DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME [P] . 韩国专利： KR101833184B1 . 2018-02-27

机译：鳍式场效应晶体管场效应晶体管鳍式场效应晶体管器件结构及其形成方法