公开/公告号CN103518252B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 ABB技术有限公司;
申请/专利号CN201280021867.4
发明设计人 C.冯阿尔斯;
申请日2012-05-04
分类号H01L21/18(20060101);H01L21/329(20060101);H01L29/861(20060101);H01L29/739(20060101);H01L29/66(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张金金;汤春龙
地址 瑞士苏黎世
入库时间 2022-08-23 09:37:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-29
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/18 登记生效日:20180510 变更前: 变更后: 申请日:20120504
专利申请权、专利权的转移
2016-03-09
授权
授权
2014-03-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/18 申请日:20120504
实质审查的生效
2014-01-15
公开
公开
机译: 用于制造双极穿通型半导体器件的方法以及这种半导体器件
机译: 制造这种半导体器件的方法和双极穿通半导体器件
机译: 半导体器件部件,用于形成半导体器件部件的液体,用于制造半导体器件部件的方法,以及用于使用该方法,磷组分,半导体显示器,发光二极管显示装置的方法,用于制造半导体器件部件的液体。