双极穿通半导体器件及这种半导体器件的制造方法

摘要

本发明名称为双极穿通半导体器件及这种半导体器件的制造方法，提供一种双极二极管(1)，具有位于阴极侧(13)上的第一导电类型的漂移层(2)和位于阳极侧(14)上的第二导电类型的阳极层(3)。阳极层(3)包括扩散的阳极接触层(5)和扩散的阳极缓冲层(4)。设置阳极接触层(5)直至最大为5μm的深度且设置阳极缓冲层(4)直至18至25μm的深度。阳极缓冲层(4)在5μm的深度中具有8.0×1015与2.0×10¹⁶cm^-3之间以及在15μm的深度中具有1.0×10¹⁴直至5.0×10¹⁴cm^-3之间的掺杂浓度(分离部分C和D)，从而使得器件具有良好的软度和低泄漏电流。