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双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法

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摘要

提供一种具有半导体衬底(1)的双极穿通半导体器件，其至少包括两层结构，其中一层是第一导电类型的基极层(10)。衬底包括具有第一电接触(2)的第一主侧(11)和具有第二电接触(3)的第二主侧(12)。第一导电类型的缓冲层(4)布置在所述基极层(10)上。交替包括第一导电类型的第一区域(51，51′)和第二导电类型的第二区域(52，52′)的第一层(5)布置在缓冲层(4)与第二电接触(3)之间。第二区域(52，52′)是具有最大2μm的深度和结轮廓的激活区域，该结轮廓在至多1μm内从最大掺杂浓度的90％降到10％。

著录项

  • 公开/公告号CN102318071B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ABB技术有限公司;

    申请/专利号CN200980157041.9

  • 发明设计人 M·拉希莫;A·科普塔;U·施拉普巴赫;

    申请日2009-06-10

  • 分类号H01L29/08(20060101);H01L29/73(20060101);H01L29/74(20060101);H01L29/86(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张金金;朱海煜

  • 地址 瑞士苏黎世

  • 入库时间 2022-08-23 09:29:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-25

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/08 登记生效日:20180507 变更前: 变更后: 申请日:20090610

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-08-19

    授权

    授权

  • 2015-08-19

    授权

    授权

  • 2012-03-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/08 申请日:20090610

    实质审查的生效

  • 2012-03-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/08 申请日:20090610

    实质审查的生效

  • 2012-01-11

    公开

    公开

  • 2012-01-11

    公开

    公开

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