一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法，利用热丝化学气相沉积技术（HWCVD），在N型(100)晶向FZ单晶硅片衬底上实现外延生长的本征硅薄膜(I)和P型硼掺杂硅薄膜(P)，本发明的有益效果是：将这种实现外延生长的薄膜硅材料用于硅基异质结太阳能电池的发射极，可以实现对异质结电池界面的能带失配控制得尽量小，使得导带带阶和价带带阶减小，即光生载流子的势垒高度变小，使得对光生载流子的收集更加有效的进行，同时外延生长的薄膜掺杂效率大大提高，从而使得电导率明显提高，更有利于对载流子的收集，进而可提高电池的短路电流密度和光电转换效率。