一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置

摘要

本发明公开一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置，包括真空腔室(1)，真空腔室(1)内底部设有衬底板(5)、衬底加热器(13)与衬底挡板(14)并连接有真空泵通道(15)；真空腔室(1)内顶部设有与直流电源(4)连接的钽丝(2)以及混合反应气体进气通道(10)；真空腔室(1)的侧壁两侧分别设有铝磁控溅射装置(7)与碳磁控溅射装置(9)以及第一氩气通道(11)与第二氩气通道(12)；钽丝(2)发热后发射电子电离出氩离子，氩离子轰击铝靶(6)与碳靶(8)溅射出铝原子与碳原子，然后进行化学气相沉积完成P型掺杂的非晶硅碳薄膜的制备；将化学气相沉积技术与磁控溅射技术相结合，掺杂效率高且掺杂均匀，能有效提高电导率。